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BSC0502NSIATMA1  与  NTMFS4833NST1G  区别

型号 BSC0502NSIATMA1 NTMFS4833NST1G
唯样编号 A-BSC0502NSIATMA1 A-NTMFS4833NST1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),43W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1600pF @ 15V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 8-PowerTDFN SO-8FL
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.3 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 26A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC0502NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0502NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E280BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN

¥6.3532 

阶梯数 价格
30: ¥6.3532
50: ¥4.6571
100: ¥4.0822
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6318
2,000: ¥3.5743
2,200 对比
RS1E280BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN

¥6.3532 

阶梯数 价格
30: ¥6.3532
50: ¥4.6571
100: ¥4.0822
233 对比
RS1E280BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN

暂无价格 140 对比
RS1E280BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 28A(Ta) ±20V 3W(Ta),30W(Tc) 2.3mΩ@28A,10V -55°C~150°C 8-PowerTDFN

¥11.8098 

阶梯数 价格
1: ¥11.8098
100: ¥6.8261
1,250: ¥4.3277
2,500: ¥3.129
86 对比
NTMFS4833NST1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SO-8FL

暂无价格 0 对比

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