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BSC042NE7NS3GATMA1  与  DMT6005LPS-13  区别

型号 BSC042NE7NS3GATMA1 DMT6005LPS-13
唯样编号 A-BSC042NE7NS3GATMA1 A36-DMT6005LPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.6W(Ta),125W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.9mΩ@50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4800pF @ 37.5V 2962 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 47.1 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 91uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 17.9A(Ta),100A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 19A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.365
100+ :  ¥1.815
1,250+ :  ¥1.584
2,500+ :  ¥1.507
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042NE7NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),125W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 17.9A(Ta),100A(Tc)

¥2.365 

阶梯数 价格
30: ¥2.365
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,500: ¥1.507
2,500 对比
AON6270 AOS  数据手册 功率MOSFET

31.5A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 3.9 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 7.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 75V

暂无价格 0 对比
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.6W(Ta),125W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 17.9A(Ta),100A(Tc)

暂无价格 0 对比

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