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BSC042N03LSGATMA1  与  RS1E200BNTB  区别

型号 BSC042N03LSGATMA1 RS1E200BNTB
唯样编号 A-BSC042N03LSGATMA1 A33-RS1E200BNTB-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),57W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),25W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Ta),93A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3100pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.462
50+ :  ¥3.7564
100+ :  ¥3.191
300+ :  ¥2.8173
500+ :  ¥2.7406
1,000+ :  ¥2.6831
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
50: ¥3.7564
100: ¥3.191
300: ¥2.8173
500: ¥2.7406
1,000: ¥2.6831
2,500 对比
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¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
30 对比
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