首页 > 商品目录 > > > > BSC039N06NSATMA1代替型号比较

BSC039N06NSATMA1  与  IRFH5006TRPBF  区别

型号 BSC039N06NSATMA1 IRFH5006TRPBF
唯样编号 A-BSC039N06NSATMA1 A-IRFH5006TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ@50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 21A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4175pF @ 30V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),156W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 36uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 30V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4175pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 19A(Ta),100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC039N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC039N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFH7085TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.2mΩ@75A,10V N-Channel 60V 23A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5006TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),156W(Tc) 4.1mΩ@50A,10V N-Channel 60V 21A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售