BSC028N06NS 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC028N06NS | SIR662DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC028N06NS | A3t-SIR662DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15mm | 5.15 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8mΩ | 2.7mΩ |
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 |
| 上升时间 | 38ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 37nC | - |
| 栅极电压Vgs | 10V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 50S | - |
| 封装/外壳 | - | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A | 60A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource | - |
| 长度 | 5.9mm | 6.15 mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 8ns | - |
| 高度 | 1.27mm | 1.04 mm |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 19ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | OptiMOS™ | SIR |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4365pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 96nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 11ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 |
|
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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