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BSC028N06NSSCATMA1  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 BSC028N06NSSCATMA1 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-BSC028N06NSSCATMA1 A-RS6L120BGTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3375pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN HSOP8 (Single)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.3V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.8 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥17.6628
100+ :  ¥8.8314
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥14.7953 

阶梯数 价格
20: ¥14.7953
50: ¥10.2532
100: ¥9.6879
500: ¥9.3141
1,000: ¥9.2375
1,530 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥17.6628 

阶梯数 价格
1: ¥17.6628
100: ¥8.8314
97 对比

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