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BSC028N06LS3GATMA1  与  AON6242  区别

型号 BSC028N06LS3GATMA1 AON6242
唯样编号 A-BSC028N06LS3GATMA1 A36-AON6242
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 22 Ohms
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.6mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 4.5mΩ
Qgd(nC) - 3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 175nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 85A
Ciss(pF) - 5305
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.8 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 24.5
Td(off)(ns) - 47
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qrr(nC) - 125
VGS(th) - 2.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 93uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Ta),100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 540
Qg*(nC) - 23
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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