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BSC026NE2LS5ATMA1  与  BSC046N02KSGAUMA1  区别

型号 BSC026NE2LS5ATMA1 BSC046N02KSGAUMA1
唯样编号 A-BSC026NE2LS5ATMA1 A-BSC046N02KSGAUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),29W(Tc) 2.8W(Ta),48W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 12V 4100pF @ 10V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA 1.2V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 10V 27.6nC @ 4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 30A,10V 4.6 毫欧 @ 50A,4.5V
Vgs(最大值) ±16V ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) 24A(Ta),82A(Tc) 19A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 25V 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC026NE2LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSC046N02KSGAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
BSC046N02KS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC046N02KSGAUMA1_-55°C~150°C(TJ) 20V 19A 4.6mΩ 12V 2.8W N-Channel

暂无价格 0 对比

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