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BSC020N03LSGATMA1  与  RS1E301GNTB1  区别

型号 BSC020N03LSGATMA1 RS1E301GNTB1
唯样编号 A-BSC020N03LSGATMA1 A3x-RS1E301GNTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-HSOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 30A(Ta),80A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 39.8nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 28A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥1.9425
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC020N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30A(Ta),80A(Tc) N-Channel ±20V 2.2mΩ@30A,10V 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥1.9425 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.9425
2,500 对比
RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30A(Ta),80A(Tc) N-Channel ±20V 2.2mΩ@30A,10V 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥7.2635 

阶梯数 价格
30: ¥7.2635
50: ¥5.5578
100: ¥4.9925
272 对比
NTMFS4833NST3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SO-8FL

暂无价格 0 对比
RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30A(Ta),80A(Tc) N-Channel ±20V 2.2mΩ@30A,10V 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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