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BSC019N04LSATMA1  与  RS1G300GNTB  区别

型号 BSC019N04LSATMA1 RS1G300GNTB
唯样编号 A-BSC019N04LSATMA1 A3-RS1G300GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),78W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),35W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 20V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 27A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4230pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56.8nC @ 10V
库存与单价
库存 0 17
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC019N04LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC019N04LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1G300GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 30A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 2.5mΩ@30A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥25.4278 

阶梯数 价格
1: ¥25.4278
100: ¥13.8836
1,000: ¥8.4967
2,500: ¥5.2
71 对比
RS1G300GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 30A(Ta) ±20V 3W(Ta),35W(Tc) 2.5mΩ@30A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 17 对比

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