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BSC016N03LSGATMA1  与  RS1E350GNTB  区别

型号 BSC016N03LSGATMA1 RS1E350GNTB
唯样编号 A-BSC016N03LSGATMA1 A3-RS1E350GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.7mOhms@35A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 10000pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-HSOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 131nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 35A(Ta),80A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.6 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 68nC@10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 32A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 60
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC016N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC016N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E350GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

35A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 60 对比
RS1E350GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

35A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥13.31 

阶梯数 价格
20: ¥13.31
33 对比
STL150N3LLH5 STMicro 功率MOSFET

PowerVDFN-8

暂无价格 0 对比
RS1E350GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

35A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
STL150N3LLH5 STMicro 功率MOSFET

PowerVDFN-8

暂无价格 0 对比

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