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BSC014N04LSIATMA1  与  AON7242  区别

型号 BSC014N04LSIATMA1 AON7242
唯样编号 A-BSC014N04LSIATMA1 A-AON7242
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 5.8mΩ
Qgd(nC) - 2.2
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 20V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 3.3x3.3 EP
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 50A
Ciss(pF) - 1970
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.45 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 16
Td(off)(ns) - 23
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qrr(nC) - 47
VGS(th) - 2.3
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 31A(Ta),100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
Coss(pF) - 540
Qg*(nC) - 11.9
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC014N04LSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC014N04LSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AON7242 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3.3x3.3 EP N-Channel 40V 20V 50A 83W 3.9mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7242 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3.3x3.3 EP N-Channel 40V 20V 50A 83W 3.9mΩ@10V

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