BSC010N04LS 与 SIR638DP-T1-GE3 区别
| 型号 | BSC010N04LS | SIR638DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSC010N04LS | A-SIR638DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1mΩ@50A,10V | 0.88mΩ@20A,10V |
| 上升时间 | 12ns | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 139W | 104W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | +20V,-16V |
| 典型关闭延迟时间 | 46ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A | 100A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | OptiMOS™ | - |
| 电压 | - | 40V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 9ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10500pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 204nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC010N04LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 100A 1mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIR638DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 100A(Tc) +20V,-16V 0.88mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIR638DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 100A(Tc) +20V,-16V 0.88mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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