BC847BPN,125 与 BC847BPDW1T1G 区别
| 型号 | BC847BPN,125 | BC847BPDW1T1G | ||||||
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| 唯样编号 | A-BC847BPN,125 | A36-BC847BPDW1T1G | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | NPN/PNP 300 mW 45 V 100 mA Surface Mount General-Purpose Transistor - TSSOP-6 | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 0.38W | ||||||
| 特征频率fT | 100MHz | 100MHz,100MHz | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 600mV,-650mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| VCBO | 50V | 50V,-50V | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA,-100mA | ||||||
| VEBO | 5V | 6V,-6V | ||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | 45V | 45V,-45V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 200,200 | ||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 423 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BC847BPN,125 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP |
￥0.2276
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥1.1937
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.1977
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.4589
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1,848 | 对比 | ||||||||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5603
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423 | 对比 |
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