BC847BPDW1T1G 与 UMZ1NTR 区别
| 型号 | BC847BPDW1T1G | UMZ1NTR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-BC847BPDW1T1G | A32-UMZ1NTR-1 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 | UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 0.38W | 150mW | ||||||||||||
| VCBO | 50V,-50V | 60V,-60V | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-100mA | 150mA,-150mA | ||||||||||||
| 特征频率fT | 100MHz,100MHz | 180MHz,140MHz | ||||||||||||
| VEBO | 6V,-6V | 7V,-6V | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 600mV,-650mV | 400mV,-500mV | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 45V,-45V | 50V,-50V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200,200 | 120,120 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 15,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥1.2114
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.1977
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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MMDT4413-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥1.0637
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3,000 | 对比 |
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