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BAS21E6433HTMA1  与  BAS21E6327HTSA1  区别

型号 BAS21E6433HTMA1 BAS21E6327HTSA1
唯样编号 A-BAS21E6433HTMA1 A36-BAS21E6327HTSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 RF二极管 RF二极管
描述 DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23 DIODE GP 200V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
不同Vr时电流-反向泄漏 100nA @ 200V 100nA @ 200V
二极管类型 标准 标准
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同If时电压-正向(Vf) 1.25V @ 200mA 1.25V @ 200mA
工作温度-结 150°C(最大) 150°C(最大)
不同 Vr、F时电容 5pF @ 0V,1MHz 5pF @ 0V,1MHz
反向恢复时间(trr) 50ns 50ns
电压-DC反向(Vr)(最大值) 200V 200V
电流-平均整流(Io) 250mA(DC) 250mA(DC)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BAS21E6433HTMA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 21 E6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
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