首页 > 商品目录 > > > > AUIRLR3636TRL代替型号比较

AUIRLR3636TRL  与  NVD5117PLT4G-VF01  区别

型号 AUIRLR3636TRL NVD5117PLT4G-VF01
唯样编号 A-AUIRLR3636TRL A-NVD5117PLT4G-VF01
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 143W -
Qg-栅极电荷 33nC -
栅极电压Vgs 16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 - TO252
连续漏极电流Id 99A -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
长度 6.5mm -
高度 2.3mm -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRLR3636TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 99A 8.3mΩ 16V 143W N-Channel 车规

暂无价格 0 当前型号
AOD2606 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 80A(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售