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AUIRLR3410TR  与  AOD2922  区别

型号 AUIRLR3410TR AOD2922
唯样编号 A-AUIRLR3410TR A-AOD2922
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.5
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ 140mΩ@10V
上升时间 53ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 176mΩ
Qg-栅极电荷 34nC -
Qgd(nC) - 0.8
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
栅极电压Vgs 16V 20V
正向跨导 - 最小值 7.7S -
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 - TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A 7A
配置 SingleQuintSource -
Ciss(pF) - 250
长度 6.5mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
下降时间 26ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF -
Schottky Diode - No
高度 2.3mm -
Trr(ns) - 19
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W 17W
Qrr(nC) - 52
VGS(th) - 2.7
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 7.2ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC -
Coss(pF) - 19
Qg*(nC) - 1.8
库存与单价
库存 0 283
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.1633
100+ :  ¥0.8382
1,000+ :  ¥0.7215
2,500+ :  ¥0.57
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRLR3410TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
1,444 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥7.6851 

阶梯数 价格
20: ¥7.6851
50: ¥5.9124
100: ¥5.3183
500: ¥4.9254
1,000: ¥4.8392
1,332 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比

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