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AUIRG4BC30SSTRL  与  IRG4BC30S-STRLP  区别

型号 AUIRG4BC30SSTRL IRG4BC30S-STRLP
唯样编号 A-AUIRG4BC30SSTRL A-IRG4BC30S-STRLP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 100W
宽度 - 9.65mm(Max)
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 68A 68A
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 100W -
输入类型 标准 标准
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 34A 34A
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 D2PAK D2PAK
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.6V @ 15V,18A 1.6V @ 15V,18A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 260µJ(开),3.45mJ(关) 260µJ(开),3.45mJ(关)
在25 C的连续集电极电流 - 34A
长度 - 10.67mm(Max)
测试条件 480V,18A,23 欧姆,15V 480V,18A,23 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 22ns/540ns 22ns/540ns
高度 - 4.83mm(Max)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRG4BC30SSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

100W -55°C~150°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 当前型号
IRG4BC30S-STRLP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

100W -55°C ~ 150°C(TJ) D2PAK

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