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AUIRFSL4010  与  STH110N10F7-2  区别

型号 AUIRFSL4010 STH110N10F7-2
唯样编号 A-AUIRFSL4010 A32-STH110N10F7-2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STH110N10F7 Series 100 V 110 A 6.5 mOhm N-Ch STripFET™ F7 Power Mosfet - H2PAK-2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ 6.5mΩ@55A,10V
上升时间 86ns -
产品特性 车规 -
QG (typical) 143.0 nC -
Qg-栅极电荷 143nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Tj max 175.0 °C -
封装/外壳 I2PAK (TO-262) H2PAK
连续漏极电流Id 180A 110A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
长度 6.5mm -
Technology Trench Mosfet -
Moisture Sensitivity Level 1 Ohms -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 77ns -
高度 2.3mm -
Budgetary Price €€/1k 1.93 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 375W 150W(Tc)
典型关闭延迟时间 100ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd 50.0 nC -
Mounting THT -
RthJC max 0.4 K/W -
通道数量 1Channel -
系列 - DeepGATE™,STripFET™ VII
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5117pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
Ptot max 375.0 W -
典型接通延迟时间 21ns -
库存与单价
库存 0 410
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.2748
2+ :  ¥6.0239
4+ :  ¥5.7828
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFSL4010 Infineon  数据手册 功率MOSFET

375W I2PAK (TO-262) N-Channel 100V 4.7mΩ 20V 180A -55°C~175°C 车规

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¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
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