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AUIRFS4127TRL  与  IRFS4127TRLPBF  区别

型号 AUIRFS4127TRL IRFS4127TRLPBF
唯样编号 A-AUIRFS4127TRL A-IRFS4127TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 22 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@44A,10V 22mΩ@44A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
连续漏极电流Id 72A(Tc) 72A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5380pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 50V 5380pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V 150nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFS4127TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 72A(Tc) ±20V 375W(Tc) 22mΩ@44A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 当前型号
IRFS4127TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK

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