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AUIRFS3206TRL  与  IRFS3206TRRPBF  区别

型号 AUIRFS3206TRL IRFS3206TRRPBF
唯样编号 A-AUIRFS3206TRL A-IRFS3206TRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
连续漏极电流Id 120A(Tc) 210A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V 6540pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFS3206TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥11.583 

阶梯数 价格
5: ¥11.583
100: ¥9.823
384 对比
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