首页 > 商品目录 > > > > AUIRFS3206TRL代替型号比较

AUIRFS3206TRL  与  AOB266L  区别

型号 AUIRFS3206TRL AOB266L
唯样编号 A-AUIRFS3206TRL A-AOB266L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.8mΩ
Qgd(nC) - 7
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 D2PAK TO-263
连续漏极电流Id 120A(Tc) 140A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
Ciss(pF) - 5650
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 36
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 3.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
Coss(pF) - 720
Qg*(nC) - 65*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFS3206TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥11.583 

阶梯数 价格
5: ¥11.583
100: ¥9.823
384 对比
IPB037N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB034N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB034N06L3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售