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AUIRFR8405TRL  与  TK100S04N1L,LQ  区别

型号 AUIRFR8405TRL TK100S04N1L,LQ
唯样编号 A-AUIRFR8405TRL A-TK100S04N1L,LQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.98mΩ@90A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 163W(Tc) 100W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5490 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 76 nC @ 10 V
封装/外壳 DPAK DPAK+
连续漏极电流Id 100A(Tc) 100A(Ta)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5171pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 155nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8405TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 100A(Tc) ±20V 163W(Tc) 1.98mΩ@90A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 当前型号
IPD100N04S4-02 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPD90N04S4-02 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S402ATMA1_40V 90A 2.4mΩ N-Channel

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TK100S04N1L,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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IPD100N04S4-02_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

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