首页 > 商品目录 > > > > AUIRFR8403代替型号比较

AUIRFR8403  与  RD3G600GNTL  区别

型号 AUIRFR8403 RD3G600GNTL
唯样编号 A-AUIRFR8403 A33-RD3G600GNTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2.2V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
封装/外壳 - TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 100A,127A 60A(Ta)
长度 6.73mm -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
高度 2.39mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 31 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) 99W 40W(Ta)
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.6mOhms@60A,10V
FET类型 - N-Channel
系列 COOLiRFET -
栅极电荷Qg - 46.5nC@10V
典型接通延迟时间 10 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 761
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.6269
50+ :  ¥7.0335
100+ :  ¥6.679
500+ :  ¥6.2286
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8403 Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.73mm

暂无价格 0 当前型号
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 6,000 对比
RD3G600GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥10.6269 

阶梯数 价格
20: ¥10.6269
50: ¥7.0335
100: ¥6.679
500: ¥6.2286
761 对比
IPD90N04S304ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S3-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S4L-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售