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AUIRFR8403  与  TK80S04K3L(T6L1,NQ  区别

型号 AUIRFR8403 TK80S04K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-AUIRFR8403 A-TK80S04K3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ -
产品状态 - 最后售卖
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2.2V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4340 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 87 nC @ 10 V
封装/外壳 - DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A,127A 80A(Ta)
长度 6.73mm -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
高度 2.39mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 31 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) 99W 100W(Tc)
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.1 毫欧 @ 40A,10V
FET类型 - N-Channel
系列 COOLiRFET -
典型接通延迟时间 10 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥10.6269
50: ¥7.0335
100: ¥6.679
500: ¥6.2286
761 对比
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