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AUIRFR8403  与  IPD90N04S304ATMA1  区别

型号 AUIRFR8403 IPD90N04S304ATMA1
唯样编号 A-AUIRFR8403 A-IPD90N04S304ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2.2V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5200pF @ 25V
封装/外壳 - TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A,127A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
长度 6.73mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.6 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
高度 2.39mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 31 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 99W -
晶体管配置 -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 90uA
系列 COOLiRFET -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
典型接通延迟时间 10 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8403 Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.73mm

暂无价格 0 当前型号
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 6,000 对比
RD3G600GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥10.6269 

阶梯数 价格
20: ¥10.6269
50: ¥7.0335
100: ¥6.679
500: ¥6.2286
761 对比
IPD90N04S304ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S3-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S4L-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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