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AUIRFR8403TRL  与  IPD90N04S4L04ATMA1  区别

型号 AUIRFR8403TRL IPD90N04S4L04ATMA1
唯样编号 A-AUIRFR8403TRL A-IPD90N04S4L04ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@76A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 99W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4690pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.8 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8403TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

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