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AUIRFR8401TRL  与  RD3G500GNTL  区别

型号 AUIRFR8401TRL RD3G500GNTL
唯样编号 A-AUIRFR8401TRL A-RD3G500GNTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.25mΩ@60A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 35W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.9mOhms@50A,10V
栅极电压Vgs ±20V 2.5V@1mA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id 100A(Tc) 50A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150℃(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 31nC@10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8401TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 100A(Tc) ±20V 79W(Tc) 4.25mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 当前型号
RD3G500GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

¥7.4264 

阶梯数 价格
30: ¥7.4264
50: ¥5.7207
100: ¥5.1554
300: ¥4.7817
500: ¥4.705
1,000: ¥4.6475
2,471 对比
RD3G500GNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

50A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 35W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 40V

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