AUIRFR4615TRL 与 IRFR4615TRLPBF 区别
| 型号 | AUIRFR4615TRL | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AUIRFR4615TRL | A-IRFR4615TRLPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ@21A,10V | 42mΩ@21A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 144W(Tc) | 144W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 33A(Tc) | 33A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 100µA | 5V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1750pF @ 50V | 1750pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | 26nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFR4615TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 33A(Tc) ±20V 144W(Tc) 42mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFR4615TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDD390N15ALZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
26A(Tc) ±20V 63W(Tc) 42m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 26A 42 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
