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AUIRFR3710ZTRL  与  IPD180N10N3GBTMA1  区别

型号 AUIRFR3710ZTRL IPD180N10N3GBTMA1
唯样编号 A-AUIRFR3710ZTRL A-IPD180N10N3GBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ -
上升时间 43ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 69nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
栅极电压Vgs 20V -
封装/外壳 - TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 56A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
配置 Single -
长度 6.5mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 18 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
下降时间 42ns -
高度 2.3mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 140W -
典型关闭延迟时间 53ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 33uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 43A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
典型接通延迟时间 14ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR3710ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V 56A 18mΩ 20V 140W N-Channel 车规

暂无价格 0 当前型号
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥2.2 

阶梯数 价格
30: ¥2.2
100: ¥1.705
1,250: ¥1.474
2,250 对比
PSMN025-100D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN025-100D_SOT428 N-Channel 150W 175℃ 3V 100V 47A

¥23.0698 

阶梯数 价格
400: ¥23.0698
1,000: ¥17.0887
1,250: ¥13.3506
2,500: ¥10.9431
0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
IPD180N10N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD180N10N3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

7.5A(Ta),54A(Tc) N-Channel ±25V 21 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 3.1W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

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