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AUIRFP4110  与  IRFB4110GPBF  区别

型号 AUIRFP4110 IRFB4110GPBF
唯样编号 A-AUIRFP4110 A-IRFB4110GPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 100V, 4.5MOHM, 120A, TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 4.5mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 370W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO247 TO-220AB
连续漏极电流Id 120A(Tc) 180A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9620pF @ 50V 9620pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V 210nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFP4110 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 120A(Tc) ±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO247 车规

暂无价格 0 当前型号
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 180A 100V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFP4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-247AC 100V 180A 4.5mΩ@75A,10V ±20V 370W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFB4110GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 100V 180A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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