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AUIRFN8405TR  与  TPN2R304PL,L1Q  区别

型号 AUIRFN8405TR TPN2R304PL,L1Q
唯样编号 A-AUIRFN8405TR A-TPN2R304PL,L1Q
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ@50A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V 40 V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Ta),136W(Tc) 630mW(Ta),104W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 40A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3600 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 0.3mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 41 nC @ 10 V
封装/外壳 PG-TDSON-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 95A(Tc) 80A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5142pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFN8405TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 95A(Tc) ±20V 3.3W(Ta),136W(Tc) 2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TDSON-8 车规

暂无价格 0 当前型号
TPN2R304PL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 630mW(Ta),104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 175°C 40 V 80A(Tc)

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