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AUIRFB8407  与  IPP120N04S402AKSA1  区别

型号 AUIRFB8407 IPP120N04S402AKSA1
唯样编号 A-AUIRFB8407 A-IPP120N04S402AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB8407, 195 A,250 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装 MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.43mm -
功率耗散(最大值) - 158W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ -
产品特性 车规 车规
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 10740pF @ 25V
封装/外壳 - TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 195A,250A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 134nC @ 10V
长度 10.67mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.1 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7330pF @ 25V -
高度 9.02mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 78 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
晶体管配置 -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 110uA
系列 COOLiRFET -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
典型接通延迟时间 19 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 225nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFB8407 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 195A,250A 2mΩ 230W 车规

暂无价格 0 当前型号
AOT2142L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 N-Channel 312W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~175°C ±20V 40V 120A

¥13.2653 

阶梯数 价格
1: ¥13.2653
100: ¥9.5588
500: ¥8.2278
1,000: ¥6.5
889 对比
IPP120N04S402AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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