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AUIRF7769L2TR  与  IRF7769L2TRPBF  区别

型号 AUIRF7769L2TR IRF7769L2TRPBF
唯样编号 A-AUIRF7769L2TR A-IRF7769L2TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 100V, 124A, 3.5MOHM, N-CH, AUTOMOTIVE, DIRECTFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 7.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5mΩ@74A,10V 2.8mΩ
上升时间 - 32ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 200nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 DIRECTFET L8 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 124A
配置 - SingleHexDrainOctalSource
长度 - 9.15mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 41ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11560pF @ 25V 11560pF @ 25V
高度 - 0.74mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Ta),125W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 92ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11560pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 44ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V 300nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF7769L2TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.3W(Ta),125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.5mΩ@74A,10V N-Channel 100V 20A DIRECTFET L8 车规

暂无价格 0 当前型号
IRF7769L2TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V -55°C~175°C(TJ) 124A 2.8mΩ 20V 125W N-Channel

暂无价格 0 对比

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