AUIRF7416QTR 与 SQ4425EY-T1-GE3 区别
| 型号 | AUIRF7416QTR | SQ4425EY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AUIRF7416QTR | A3t-SQ4425EY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@5.6A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | SO8 | - |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.04V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1700pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 92nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AUIRF7416QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SQ4425EY-T1-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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