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AUIRF7316QTR  与  AUIRF7316Q  区别

型号 AUIRF7316QTR AUIRF7316Q
唯样编号 A-AUIRF7316QTR A-AUIRF7316Q
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7316QTR, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ 58mΩ@4.9A,10V
晶体管材料 Si -
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
晶体管配置 -
引脚数目 8 -
封装/外壳 - 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.9A -
系列 HEXFET -
长度 5mm -
正向二极管电压 1V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
典型接通延迟时间 13 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V 710pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V 34nC @ 10V
高度 1.50mm -
类别 功率 MOSFET -
正向跨导 7.7S -
典型关断延迟时间 34 ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF7316QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 4.9A 90mΩ 2W 车规

暂无价格 0 当前型号
AUIRF7316Q Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 58mΩ@4.9A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比

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