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AUIRF5210STRL  与  IRF5210STRLPBF  区别

型号 AUIRF5210STRL IRF5210STRLPBF
唯样编号 A-AUIRF5210STRL A-IRF5210STRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@38A,10V 60mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),170W(Tc) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 38A 38A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF5210STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规

暂无价格 0 当前型号
IRF5210STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A

暂无价格 800 对比
IRF5210STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比

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