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AUIRF3805S-7TRL  与  AUIRF3805S-7P  区别

型号 AUIRF3805S-7TRL AUIRF3805S-7P
唯样编号 A-AUIRF3805S-7TRL A-AUIRF3805S-7P
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S-7P, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm 10.05mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ 2.6mΩ
产品特性 车规 车规
引脚数目 - 7
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 240A 240A
配置 Single -
长度 10mm 10.35mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7820pF @ 25V 7820pF
高度 4.4mm 4.55mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 80 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 300W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 23 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 200nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF3805S-7TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V ±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 240A 2mΩ N-Channel 车规

暂无价格 0 当前型号
IRF3805STRL-7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 160A(Tc) ±20V 300W(Tc) 2.6mΩ@140A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK7P

暂无价格 0 对比
BUK964R2-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R2-55B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥15.0639 

阶梯数 价格
210: ¥15.0639
400: ¥12.766
800: ¥11.7119
0 对比
AUIRF3805S-7P Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 240A 2.6mΩ 300W 车规

暂无价格 0 对比

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