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AUIRF2903ZSTRL  与  IPB80N03S4L02ATMA1  区别

型号 AUIRF2903ZSTRL IPB80N03S4L02ATMA1
唯样编号 A-AUIRF2903ZSTRL A-IPB80N03S4L02ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm -
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ -
上升时间 100ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 160nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9750pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 120S -
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 235A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 140nC @ 10V
配置 SingleQuintSource -
长度 10mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 37ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6320pF @ 25V -
高度 4.4mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 231W -
典型关闭延迟时间 48ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 90uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 24ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF2903ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 235A 2.4mΩ 20V 231W N-Channel TO-263-3 30V 车规

暂无价格 0 当前型号
IPB80N03S4L-02 Infineon 功率MOSFET

IPB80N03S4L02ATMA1_30V 80A 2.4mΩ 16V 136W N-Channel -55°C~175°C

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IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N03S4L-02_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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