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AUIRF2903ZSTRL  与  IPB80N03S4L-02  区别

型号 AUIRF2903ZSTRL IPB80N03S4L-02
唯样编号 A-AUIRF2903ZSTRL A-IPB80N03S4L-02
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ 2.4mΩ
上升时间 100ns 9ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 160nC -
栅极电压Vgs 20V 16V
正向跨导 - 最小值 120S -
封装/外壳 TO-263-3 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 235A 80A
配置 SingleQuintSource Single
长度 10mm 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 37ns 13ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6320pF @ 25V -
高度 4.4mm 4.4mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 231W 136W
典型关闭延迟时间 48ns 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel 1Channel
系列 - OptiMOS-T2
典型接通延迟时间 24ns 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF2903ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 235A 2.4mΩ 20V 231W N-Channel TO-263-3 30V 车规

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IPB80N03S4L-02 Infineon 功率MOSFET

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