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AUIRF2804STRL7P  与  AUIRF2804S-7P  区别

型号 AUIRF2804STRL7P AUIRF2804S-7P
唯样编号 A-AUIRF2804STRL7P A-AUIRF2804S-7P
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2804S-7P, 320 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 11.33mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ@160A,10V 1.6mΩ
产品特性 车规 车规
引脚数目 - 7
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 D2PAK7P -
连续漏极电流Id 240A(Tc) 320A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6930pF @ 25V 6930pF
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 110 ns
漏源极电压Vds 40V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 330W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 17 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V 260nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF2804STRL7P Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 240A(Tc) ±20V 330W(Tc) 1.6mΩ@160A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK7P 车规

暂无价格 0 当前型号
AUIRF2804S-7P Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 320A 1.6mΩ 330W 车规

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