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AUIRF1405ZSTRL  与  SQM50020EL-GE3  区别

型号 AUIRF1405ZSTRL SQM50020EL-GE3
唯样编号 A-AUIRF1405ZSTRL A3t-SQM50020EL-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.9mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 150A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4780pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4780pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF1405ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@75A,10V N-Channel 55V 150A D2PAK 车规

暂无价格 0 当前型号
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 211W 175°C 3V 60V 100A

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SQM50020EL-GE3 Vishay 未分类

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