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AUIRF1405ZSTRL  与  PSMN4R6-60BS,118  区别

型号 AUIRF1405ZSTRL PSMN4R6-60BS,118
唯样编号 A-AUIRF1405ZSTRL A-PSMN4R6-60BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.9mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 211W
输出电容 - 567pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 150A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4780pF @ 25V -
输入电容 - 4426pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.4mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4780pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.853
400+ :  ¥7.5025
800+ :  ¥6.883
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF1405ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
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800: ¥6.883
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BUK664R4-55C_SOT404

¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
BUK764R0-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R0-55B_SOT404

¥13.4138 

阶梯数 价格
210: ¥13.4138
400: ¥11.3676
800: ¥10.429
0 对比

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