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AUIRF1404Z  与  BUK753R1-40E,127  区别

型号 AUIRF1404Z BUK753R1-40E,127
唯样编号 A-AUIRF1404Z A-BUK753R1-40E,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.83mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.7mΩ -
产品特性 车规 -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs - 3V
封装/外壳 - SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 180A 100A
长度 10.67mm -
输入电容 - 4650pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF -
高度 16.51mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 36 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) 200W 234W
晶体管配置 -
输出电容 - 885pF
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@10V
典型接通延迟时间 18 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥13.8517
50+ :  ¥12.2581
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF1404Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 180A 3.7mΩ 200W 车规

暂无价格 0 当前型号
BUK753R1-40E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK753R1-40E_SOT78 N-Channel 234W 175℃ 3V 40V 100A

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阶梯数 价格
20: ¥11.4842
50: ¥9.5702
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PSMN2R8-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 40V 100A

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