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AUIRF1404ZSTRL  与  PSMN2R8-40BS,118  区别

型号 AUIRF1404ZSTRL PSMN2R8-40BS,118
唯样编号 A-AUIRF1404ZSTRL A-PSMN2R8-40BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.7mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 211W
输出电容 - 937pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D²PAK(TO-263AB) SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 180A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 25V -
输入电容 - 4491pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.9mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC -
库存与单价
库存 0 220
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRF1404ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 当前型号
AOB240L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥4.598 

阶梯数 价格
20: ¥4.598
100: ¥3.674
702 对比
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN2R8-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40BS_SOT404

暂无价格 220 对比
BUK964R4-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK964R4-40B_SOT404

¥11.5513 

阶梯数 价格
210: ¥11.5513
400: ¥9.7892
800: ¥8.9809
0 对比
BUK963R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R1-40E_SOT404

¥10.851 

阶梯数 价格
210: ¥10.851
400: ¥9.1958
800: ¥8.4365
0 对比

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