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AOU2N60  与  FQU2N60CTU  区别

型号 AOU2N60 FQU2N60CTU
唯样编号 A-AOU2N60 A3-FQU2N60CTU
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.7 Ohm Through Hole Power Mosfet - IPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.8 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4400mΩ@10V 4.7Ω@950mA,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 4.7 -
栅极电压Vgs 30V ±30V
Td(on)(ns) 17.2 -
封装/外壳 TO-251 IPAK
连续漏极电流Id 2A 1.9A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 270 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 25V
Trr(ns) 154 -
Td(off)(ns) 27 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 56.8W 2.5W(Ta),44W(Tc)
Qrr(nC) 800 -
VGS(th) 5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
Coss(pF) 29 -
Qg*(nC) 9.5 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOU2N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251 N-Channel 600V 30V 2A 56.8W 4400mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
STU2N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251

暂无价格 0 对比
STU2N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251

暂无价格 0 对比

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