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AOTF8N65  与  TK10A80E,S4X  区别

型号 AOTF8N65 TK10A80E,S4X
唯样编号 A-AOTF8N65 A-TK10A80E,S4X
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 9 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1150mΩ@10V -
ESD Diode No -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 9.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 26 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 46 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220F TO-220SIS
连续漏极电流Id 8A 10A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1165 -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 295 -
Td(off)(ns) 65 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V 800 V
Pd-功率耗散(Max) 50W 50W(Tc)
Qrr(nC) 5000 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1 欧姆 @ 5A,10V
VGS(th) 5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 101 -
Qg*(nC) 23.5* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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