首页 > 商品目录 > > > > AOTF8N50代替型号比较

AOTF8N50  与  TK11A55D(STA4,Q,M)  区别

型号 AOTF8N50 TK11A55D(STA4,Q,M)
唯样编号 A-AOTF8N50 A-TK11A55D(STA4,Q,M)
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.8 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@10V -
ESD Diode No -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 10.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1350 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 19.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220F TO-220SIS
连续漏极电流Id 9A 11A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 868 -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 206 -
Td(off)(ns) 51.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V 550 V
Pd-功率耗散(Max) 38.5W 45W(Tc)
Qrr(nC) 2100 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 630 毫欧 @ 5.5A,10V
VGS(th) 4.6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 23.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF8N50 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 500V 30V 9A 38.5W 850mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STF7N52DK3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
STF7N52DK3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 45W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 550 V 11A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPA50R800CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售