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AOTF8N50  与  IPA50R800CEXKSA2  区别

型号 AOTF8N50 IPA50R800CEXKSA2
唯样编号 A-AOTF8N50 A-IPA50R800CEXKSA2
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.8 -
功率耗散(最大值) - 26.4W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 10.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 19.5 -
封装/外壳 TO-220F TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 9A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.4nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 868 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 800 毫欧 @ 1.5A,13V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 13V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 206 -
Td(off)(ns) 51.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 38.5W -
Qrr(nC) 2100 -
VGS(th) 4.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.1A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 23.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOTF8N50 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 500V 30V 9A 38.5W 850mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STF7N52DK3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

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N-Channel 45W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 550 V 11A(Ta)

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IPA50R800CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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